今天上午 9 点 30 分，随着上交所开盘，国产 DRAM 龙头长鑫科技集团股份有限公司正式启动科创板新股申购。这是 2026 年 A 股市场迄今规模最大的 IPO，也是科创板开板以来仅次于中芯国际的第二大 IPO 项目，发行价为 8.66 元/股。
由于机构询价需求远超预期，公司最终发行规模由原计划募资 295 亿元提升至约 579 亿元，超募近一倍，创下科创板开板以来最大募资纪录。按发行价计算，长鑫科技上市时总市值约 5,792 亿元。多家机构预计，其上市交易后的市值有望突破万亿元，甚至达到 2 万亿元。
对半导体行业而言，长鑫科技还有一个更为人熟悉的名字——长鑫存储。作为中国大陆目前唯一实现 DRAM 大规模量产的企业，也是全球第四大 DRAM 制造商，这家公司今天正式迈入资本市场，也成为中国存储产业发展历程中的一个重要节点。
DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器）是半导体产业技术门槛最高、市场集中度最高的细分领域之一，也是智能手机、PC、服务器、汽车等电子设备最核心的存储芯片之一。长期以来，三星电子、SK 海力士和美光科技三家公司合计占据全球九成以上市场份额，形成了高度集中的竞争格局。在长鑫科技崛起之前，中国大陆在 DRAM 领域几乎没有实现规模化量产能力。
长鑫科技成立于 2016 年，总部位于安徽合肥，采用 IDM（Integrated Device Manufacturer，垂直整合制造）模式，集芯片设计、制造和销售于一体。目前，公司已在合肥和北京建成三座 12 英寸 DRAM 晶圆厂，产能接近满产。
技术路线方面，长鑫科技选择了业内少见的“跳代研发”策略。十年间，公司完成了从第一代到第四代工艺技术平台的量产迭代，产品覆盖 DDR4、LPDDR4X、DDR5、LPDDR5/5X 等主流 DRAM 品类，应用于消费电子、服务器、智能汽车和工业控制等多个领域。这意味着，长鑫科技已不再局限于中低端市场，而是在 DDR5、LPDDR5X 等新一代产品上，开始与国际头部厂商展开竞争。
根据相关数据，截至 2025 年第四季度，长鑫科技全球 DRAM 市场份额达到 7.67%；Counterpoint 统计显示，2026 年第一季度进一步提升至约 8%。SemiAnalysis 预测，到 2026 年底，长鑫科技的 DRAM 产能有望超过美光，成为全球第三大 DRAM 制造商；到 2028 年，其全球市场份额可能达到 17%。如果这一预测实现，持续二十余年的全球 DRAM“三强格局”或将迎来新的变化。
长鑫科技选择在此时登陆资本市场，恰逢存储芯片行业迎来近年来最强劲的一轮上行周期。而这轮周期最大的变量，正是 AI。
过去，存储行业的景气波动更多由供给端主导：厂商集中扩产导致价格下跌，减产后价格回升，周期循环往复。而这一轮有所不同。随着大模型训练和推理快速发展，AI 对存储容量、带宽和能效提出了前所未有的要求，需求端开始成为推动行业增长的核心力量。
最直接的体现是 HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）的快速崛起。作为 AI 加速芯片的重要组成部分，HBM 已从相对小众的产品成长为存储行业最具战略价值的赛道之一。英伟达新一代 GPU 持续增加 HBM 容量，而训练万亿参数级大模型所需的存储资源，已远超传统数据中心负载。与此同时，DDR5 和 LPDDR5X 在服务器、PC 和智能终端中的渗透率不断提升，传统 DRAM 产品同样受益于 AI 基础设施建设的持续扩张。
从市场数据来看，这轮增长力度也明显超过以往。IDC 预计，全球 DRAM 市场规模将在 2026 年继续保持高速增长；Counterpoint 数据显示，2026 年第一季度全球 DRAM 营收达到 970 亿美元，环比增长约 80%，创下历史新高。与此同时，三星、SK 海力士和美光纷纷提高资本开支，加码 HBM、先进制程和新产线建设。不过，从投资到产能释放通常需要较长时间，短期内供需偏紧的局面仍难以明显缓解。
对于长鑫科技而言，这轮周期带来的不仅是价格上涨和业绩改善，更意味着新的市场机会。随着三星、SK 海力士和美光将更多产能和研发资源投向 HBM 等高端产品，消费级和移动 DRAM 市场释放出更多空间，为长鑫科技进一步拓展客户、优化产品结构提供了机会。国产替代需求持续释放，加上海外厂商资源向高附加值产品倾斜，共同推动了公司的增长。
不过，存储行业的周期性并未消失。长鑫科技在招股书中提示，如果 AI 下游需求低于预期，或市场供需关系发生较大变化，行业仍可能重新进入下行周期。有分析认为，随着全球新增产能在 2027 至 2028 年陆续投产，供需关系有望逐步改善，行业景气度也可能随之回落。对于存储行业而言，AI 正在改变周期的驱动力，但并没有消除周期。
长鑫科技不是近期唯一走向资本市场的存储企业。几乎同一时间，全球存储产业正迎来新一轮资本化进程。
在国内，另一家国产存储龙头长江存储也在加快上市步伐。2026 年 5 月 19 日，长江存储控股股份有限公司在湖北证监局完成 IPO 辅导备案，正式启动科创板上市程序。
长江存储是国内唯一具备完整 3D NAND Flash 产业链能力的 IDM（Integrated Device Manufacturer，垂直整合制造）企业。其自主研发的 Xtacking 架构已实现 232 层及以上产品量产，并于 2026 年推进至 300 层产品。根据市场机构数据，2026 年第一季度，长江存储 NAND Flash 全球市场份额约 13%，营收同比实现翻倍增长，市场普遍预计其 IPO 估值约 3,000 亿元。
如果说长鑫科技代表国产 DRAM，那么长江存储则代表国产 NAND Flash。“两存”相继启动 IPO，意味着中国存储芯片产业正从技术突破迈向资本驱动的发展阶段。招商证券认为，随着两家公司持续扩产，半导体设备、材料等产业链有望持续受益。
放眼全球，资本市场同样看好存储产业。7 月 10 日，全球第二大 DRAM 制造商 SK 海力士以每份 ADR 149 美元的发行价登陆纳斯达克，募资 265 亿美元，创下外国企业赴美 IPO 融资规模新纪录。此前，凭借 HBM 业务的快速增长，SK 海力士市值一度超过三星电子，成为韩国 KOSPI 市值最高的上市公司，结束了三星连续 26 年的领先地位。
美东时间 7 月 14 日，就在长鑫科技开启申购前。SK 海力士 ADR 单日上涨超过 27%，创上市以来新高，总市值达到 1.41 万亿美元，收盘价较韩国本土股票溢价约 51%。同一天，公司宣布正式启动面向英伟达下一代 AI 平台 Vera Rubin 的 12 层 HBM4 量产出货。消息带动美股存储板块整体走强，美光科技上涨近 5%，闪迪涨幅超过 5%。
一周之内，长鑫科技登陆 A 股，SK 海力士登陆美股，两家全球重要存储厂商几乎同步完成资本市场的重要一步。这也从一个侧面反映出，AI 驱动下的存储产业仍处于高景气周期，企业对未来几年市场需求和技术投入保持较强信心。